擴(kuò)散硅壓力傳感器系全部采用進(jìn)口芯片，經(jīng)過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，信號處理和組裝，并按照國家標(biāo)準(zhǔn)和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)行測試而生產(chǎn)出來的新一代壓力傳感器�；驹硎抢冒雽�(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機(jī)械加工技術(shù)，在單晶硅片的特點(diǎn)晶向上，用光刻、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝制作一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當(dāng)受到外力作用時(shí)產(chǎn)生微應(yīng)變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變�。┰偌�(lì)電壓信號輸出，經(jīng)過計(jì)算機(jī)溫度補(bǔ)償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測、標(biāo)定等工藝，生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號的壓力變送器。
特點(diǎn)
輸出溫度靈敏度高
一般應(yīng)變式傳感器輸出僅為10mV左右，而擴(kuò)散硅傳感器滿量程輸出為100mV左右，干擾及噪音等因素影響相對較小，放大電路成本也相應(yīng)降低，分辨率大大提高。零壓力附近無死區(qū)。
精度高，重復(fù)性好
擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器實(shí)現(xiàn)了壓力受感，壓力傳遞，力-電轉(zhuǎn)換在同一元件上實(shí)現(xiàn)，無中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，無壓力滯后，無機(jī)械位移變形，保證了極小的重復(fù)性和遲滯誤差，和良好的線性度，無蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長。
良好的溫度特性
由于采用了激光調(diào)阻，計(jì)算機(jī)補(bǔ)償?shù)认冗M(jìn)技術(shù)和巧妙控制擴(kuò)散濃度，實(shí)現(xiàn)滿量程溫度漂移（靈敏度溫度系數(shù)）自補(bǔ)償�？朔税雽�(dǎo)體晶片本身溫度系數(shù)大的缺陷，使變送器的靈位和滿度溫控制到了較小的范圍，拓寬了使用溫區(qū)。
適合于危險(xiǎn)易爆的領(lǐng)域和場所應(yīng)用
擴(kuò)散硅壓力傳感器，變送器具有低電流、低電壓、低功耗的特點(diǎn)。
高可靠性和抗干擾性能
產(chǎn)品由于采用了不銹鋼材質(zhì)與特殊防護(hù)結(jié)構(gòu)，和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護(hù)手段，提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力，完全適合一般工業(yè)現(xiàn)場測量和控制的需要。
技術(shù)參數(shù)
技術(shù)對象：液體、氣體或蒸汽
測量范圍：表壓：0-1kpa~100mpa 絕壓：0~100kpa~35Mpa,負(fù)壓：-0.1Mpa~2Mpa
輸出：4~20MADC
電源：12~36VDC
負(fù)載特性：4~20mADC 二線制
溫度范圍：-40℃~+85℃
外殼防護(hù)：優(yōu)于IP65
防爆 類型：隔爆型ExdⅡCT6
綜合精度： 精度等級：0.1%、0.2%
穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.25%FS/3年
溫度影響：-10℃~+60℃范圍內(nèi)，變化量小于±0.1%/10℃(0.1級) 變化量小于±0.15%/10℃(0.2級)
-30℃~-10℃，60℃~+85℃：變化量小于±0.15%/10℃（0.1級） 變化量小于±0.2%/10℃（0.2級）
振動(dòng)影響 在任何方向上振動(dòng)頻率為20-200Hz時(shí)，變化量小于±0.02%BFSL。
沖擊影響 任何方向100G沖擊11ms后，變化量小于±0.02%BFSL
負(fù)載影響 只要輸入變送器的端子電壓高于12V，就無負(fù)載影響。
位置影響：安裝位置不影響零點(diǎn)
結(jié)構(gòu)材料 外殼：不銹鋼和低銅鑄鋁
接觸介質(zhì)材料與選擇的傳感器類型及采用的密封方式有關(guān)
全焊接結(jié)構(gòu)：316L ss
"O“型圈密封結(jié)構(gòu)：聚四氯乙烯或氟橡膠
過程連接：標(biāo)準(zhǔn)提高M(jìn)20*1.5外螺紋
電氣連接：可根據(jù)需從任何一個(gè)出口引出，建議使用10工業(yè)電纜作為引線，以便密封，引出接頭可選用通用電纜接頭PG16或M20*1.5,不引線一端用端蓋封住。
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